STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220
About The : –25 V, +25 V, Länge: 10.: 285 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 285 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP18NM60N
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220 | |
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