STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 23 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.4mm, MPN: STP60NF10
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |