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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH

About The 9V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6668TRPBF.: 4

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,015 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6668TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH
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Jubilee Edelstahl Schlauchschelle A2 304 O-Clip, Ø 5 → 7mm x 6mm, Innendurchmesser min.: 5mm, MPN: OC0507SS
    • Nexperia PDTC124XQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3

    Nexperia PDTC124XQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3

    Nexperia PDTC124XQCZ SMD, NPN Digitaler Transistor 3 50 V / 100 mA, DFN1412D-3.

    • Staubli Stäubli 4 mm Bananenbuchse Rot, Kontakt vergoldet, 600V / 32A Bolzen, Federkontakt: Ja, Länge: 45mm, Kontaktmaterial: Messing, Isoliermaterial: Polyamid, MPN: 23.3050-22
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5,4 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 451 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FQD7P06TM
    • onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5,4 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 451 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FQD7P06TM