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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH

About The : 0,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6785MTRPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6785MTRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH
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