Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 0,1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IRF6785MTRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A, 7-Pin DirectFET ISOMETRISCH | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |