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Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A 3,1 W, 8-Pin SOIC

About The : -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI9945BDY-T1-GE3

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A 3,1 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 72 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI9945BDY-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A 3,1 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A 3,1 W, 8-Pin SOIC

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    • Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A 3,1 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 72 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI9945BDY-T1-GE3
    • TE Connectivity EP2.5 Steckverbinder-Halterung für Economy Power-Steckverbinder, Zubehörtyp: TPA-Halterung, Anzahl der Auslässe: 6, MPN: 1969443-6
    • Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A 3,1 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 72 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: SI9945BDY-T1-GE3