Onsemi MJD350T4G SMD, PNP Transistor –300 V / –500 MA, DPAK (TO-252) 3-Pin
About The 73 x 6.: 1,56 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max
onsemi MJD350T4G SMD, PNP Transistor –300 V / –500 mA, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 1,56 W, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 3 V, Abmessungen: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJD350T4G SMD, PNP Transistor –300 V / –500 MA, DPAK (TO-252) 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJD350T4G SMD, PNP Transistor –300 V / –500 MA, DPAK (TO-252) 3-Pin | |
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