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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247

About The : 4V, MPN: IPW60R024P7XKSA1.Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPW60R024P7XKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247

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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247
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Amphenol Industrial MIL-Rundsteckverbinder, Buchse, 7-polig, Kabelmontage, Gehäuse 16mm, MIL-DTL-5015, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Distrelec Product Id: 14446134, MPN: DS3106F 16S-1S(+B)
    • Schneider Electric Tesys Stromwandler, Aufbaumontage, 400A 400A, 38mm x 170mm, Ausgangsstrom: 1 A, MPN: LUTC4001

    Schneider Electric Tesys Stromwandler, Aufbaumontage, 400A 400A, 38mm x 170mm, Ausgangsstrom: 1 A, MPN: LUTC4001

    Schneider Electric Tesys Stromwandler, Aufbaumontage, 400A 400A, 38mm x 170mm.

    • Schneider Electric Schrauben, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, Abmessungen: M6x16mm, Serie: NSYS, MPN: NSYST30M6
    • Yamaichi IC-Sockel PGA-Gehäuse Prototypbuchse 2.54mm Raster 121-polig Abgewinkelt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, Kontaktbeschichtung: Gold über Nickel, Sockelmontage-Typ: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: PEI, MPN: NP89-12110-G4-BF
    • Schneider Electric Sockel, für Universal, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: NSYSPSX4200SF
    • Extech DT100M LCD Entfernungsmesser, metrisch/zöllig, Genauigkeit: ±2 mm, Messbereich: 0,05 → 100m, Distrelec Product Id: 30108726
    • Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPW60R024P7XKSA1
    • Infineon CoolMOS CSFD N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 360 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: IPW60R024CFD7XKSA1
    • Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, MPN: IPW60R024P7XKSA1
    • Infineon CoolMOS CSFD N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 360 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, MPN: IPW60R024CFD7XKSA1