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RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer M4, Ø 15mm X 8mm, 60 Shore A

About The RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer M4, Ø 15mm x 8mm, 60 Shore A, Material: Naturkautschuk, Stauchlast: 25kg, Metallteil: Stahl zinkplattiert, Scherbelastung: 5.2kg, Typ: Stecker auf Stecker

RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer M4, Ø 15mm x 8mm, 60 Shore A, Material: Naturkautschuk, Stauchlast: 25kg, Metallteil: Stahl zinkplattiert, Scherbelastung: 5.2kg, Typ: Stecker auf Stecker

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Konstruktionsmaterialien und industrielle Systemteile > Vibrationsdämpfungs- und Ausgleichkomponenten > Schwingungsdämpfer

RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer M4, Ø 15mm X 8mm, 60 Shore A

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Specifications of RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer M4, Ø 15mm X 8mm, 60 Shore A

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RS PRO Gummi Vibrationsdämpfer, Außen-/Außengewinde Puffer M4, Ø 15mm X 8mm, 60 Shore A
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Analog Devices Dual, Single Differenzverstärker 5 V, 9 V, 1.5MΩ, 0.5mV ±3 V, ±5 V 0.009dB 1-Kanal SOIC 8-Pin, Gleichtaktunterdrückung min.: 75dB, Montage-Typ: SMD, Rail to Rail: Rail-to-Rail Output, Abmessungen: 4.9 x 3.9 x 1.65mm, Länge: 4.9mm, MPN: AD8139ARDZ
    • RS PRO Dichtung, Typ V-Dichtung, Innen ø 12.5mm, Aussen ø 21.5mm, 5.5mm, Dichtungsmaterial: Nitrilgummi, Betriebstemperatur (min.): -40°C, Betriebstemperatur (max.): +100°C
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 43 A 2,4 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 11,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DMN3010LK3-13
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 34 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 99 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DMN10H099SK3-13
    • DiodesZetex N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A 34 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 99 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: DMN10H099SK3-13