Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 7,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101, MPN: SQM50034E_GE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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