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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLR2905TRPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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    • Honeywell Potentiometer; 1 Megohms; + 10%; PC; 1; 0.5 W; 295 deg; Solder Lug; 0.875 in., MPN: 392JA1MEG
    • Honeywell Potentiometer; 100 Kilohms; + 10%; PC; 1; 0.5 W; 295 deg; Solder Lug; 0.875 in, MPN: 392JA100K
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, MPN: IRF7240TRPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLR2905TRPBF
    • Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 10,5 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 25 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, MPN: IRF7240TRPBF
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +16 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRLR2905TRPBF