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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 MA 3,3 W, 3-Pin SOT-223

About The : -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.7V, Gate-Schwellenspannung min

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 mA 3,3 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 8,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.25V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 1.8mm, MPN: STN1HNK60

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 MA 3,3 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 400 MA 3,3 W, 3-Pin SOT-223

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