Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 480 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 480 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRFR9120NTRPBF
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 6,6 A 40 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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