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Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

About The Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, MPN: IPG16N10S461AATMA1

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, MPN: IPG16N10S461AATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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Ohmite Resistor, Wirewound;2000 Ohms;5 W;+/-1%;Axial;Silicone;460 V;18 ga.;1.5 In.", MPN: 45F2K0E

Ohmite Resistor, Wirewound;2000 Ohms;5 W;+/-1%;Axial;Silicone;460 V;18 ga.;1.5 In.", MPN: 45F2K0E

Ohmite Resistor, Wirewound;2000 Ohms;5 W;+/-1%;Axial;Silicone;460 V;18 ga.;1.".5 In.

    • Analog Devices Spannungsmultiplizierer 4 Quadr., Differential, 1 Anz. Elemente/ Chip 500 MHz SOIC 8-Pin, SMD

    Analog Devices Spannungsmultiplizierer 4 Quadr., Differential, 1 Anz. Elemente/ Chip 500 MHz SOIC 8-Pin, SMD

    Elemente/ Chip 500 MHz SOIC 8-Pin, SMD, Bipolare Versorgungsspannung: ±9V, Bipolare Versorgungsspannung min.: +70 °C, Breite: 4mm, MPN: AD834JRZ., Differential, 1 Anz.

    • Analog Devices Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ.

    Analog Devices Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ.

    Analog Devices Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ.: 250V/µs, Betriebstemperatur max.5mm, MPN: AD817ARZ 6 → 28 V, biplor typ.: 35MHz, Flankensteilheit typ.

    • RS PRO PTFE Kunststoffplatte, Weiß, 25mm x 300mm x 600mm / 2.18 → 2.21g/cm³ bis +260°C, Voll, Laminiert: Nein, Zugfestigkeit: 25 MPa, Brennbarkeitsklasse: UL 94 V-0, Wasseraufnahme: 0.3%, Ausdehnung: 50%
    • Festo Ventil-Montagesatz Typ Abdeckung Serie VMPAC, MPN: VMPAC-VC-MO-14-2

    Festo Ventil-Montagesatz Typ Abdeckung Serie VMPAC, MPN: VMPAC-VC-MO-14-2

    Festo Ventil-Montagesatz Typ Abdeckung Serie VMPAC.

    • Wurth Elektronik WE-RFI Drosselspule, 10 μH 80mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±5%, 40MHz, Tiefe: 1.25mm, Höhe: 1.2mm, Abmessungen: 2 x 1.25 x 1.2mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 5Ω, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +85°C, MPN: 744760410A
    • Cosel MGS DC/DC-Wandler 15W 12 V dc IN, 5V dc OUT / 3A PCB-Montage 1.5 kV ac, 500V dc isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 9 → 18 V dc, Isoliert: Ja, Ausgangsspannungs-Einstellbereich: ±10%, Isolationsspannung: 1.5 kV ac, 500V dc, Tiefe: 9.9mm, Länge: 25.4mm, Lastausregelung: 20mV, MPN: MGS151205-R
    • Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, MPN: IPG16N10S461AATMA1

    Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, MPN: IPG16N10S461AATMA1

    Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual.

    • Cosel MGS DC/DC-Wandler 15W 12 V dc IN, 5V dc OUT / 3A PCB-Montage 1.5 kV ac, 500V dc isoliert, Ausgangsspannung: 5V dc, Eingangsspannung: 9 → 18 V dc, Isoliert: Ja, Ausgangsspannungs-Einstellbereich: ±10%, Isolationsspannung: 1.5 kV ac, 500V dc, Tiefe: 9.9mm, Länge: 25.4mm, Lastausregelung: 20mV, MPN: MGS151205-R
    • Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, MPN: IPG16N10S461AATMA1

    Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, MPN: IPG16N10S461AATMA1

    Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual.