Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0032 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD90N04S403ATMA1
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Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin TO-252
Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 3-Pin TO-252 | |
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