onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 337 A 300 W, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 1,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 8.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: NVMTS1D2N08H
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 337 A 300 W, 8-Pin DFN
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 337 A 300 W, 8-Pin DFN | |
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