Infineon CoolMOSâ„¢ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247
About The : -20 V, +20 V, Länge: 15.9V, Gate-Schwellenspannung min
Infineon CoolMOS™ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.9mm, MPN: SPW20N60C3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOSâ„¢ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of Infineon CoolMOSâ„¢ C3 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 208 W, 3-Pin TO-247 | |
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