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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 25 A PowerPAK ChipFET

About The Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 25 A PowerPAK ChipFET, MPN: SI5442DU-T1-GE3

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 25 A PowerPAK ChipFET, MPN: SI5442DU-T1-GE3

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 25 A PowerPAK ChipFET

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Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 25 A PowerPAK ChipFET

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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 25 A PowerPAK ChipFET
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RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 787Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • RS PRO Dickschicht SMD-Widerstand 806Ω ±1% / 0.25W ±100ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C
    • Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 1206-8 ChipFET, MPN: SI5468DC-T1-GE3

    Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 1206-8 ChipFET, MPN: SI5468DC-T1-GE3

    Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 1206-8 ChipFET.

    • Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 60 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 9 A 4 kW 1 NC (Schließer), MPN: 3RT2016-1BE42

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 60 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 9 A 4 kW 1 NC (Schließer), MPN: 3RT2016-1BE42

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 60 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 9 A 4 kW 1 NC (Schließer).

    • Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 60 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 9 A 4 kW 1 NC (Schließer), MPN: 3RT2016-1BE42

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 60 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 9 A 4 kW 1 NC (Schließer), MPN: 3RT2016-1BE42

    Siemens SIRIUS 3RT2 Leistungsschütz 60 V-Spule, 3 -polig, 690 V / 9 A 4 kW 1 NC (Schließer).