Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 263 A 255 W, 3-Pin TO-220
About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 263 A 255 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: TK100E06N1,S1X(S
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 263 A 255 W, 3-Pin TO-220
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Specifications of Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 263 A 255 W, 3-Pin TO-220 | |
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