Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 179 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IRFR8314TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 179 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 179 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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