Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 44 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,041 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPP410N30NAKSA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 44 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 44 A, 3-Pin TO-220 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |