Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 14 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,17 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IPW60R170CFD7XKSA1
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Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 14 A, 3-Pin TO-247
Specifications of Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 14 A, 3-Pin TO-247 | |
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