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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 110 V / 16 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 0,000115 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFR3910TRLPBF

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 110 V / 16 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,000115 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon, MPN: IRFR3910TRLPBF

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 110 V / 16 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 110 V / 16 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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