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Onsemi MMBT5087LT1G SMD, PNP Transistor –50 V / -50 MA 20 MHz, SOT-23 3-Pin

About The .: +150 °C

onsemi MMBT5087LT1G SMD, PNP Transistor –50 V / -50 mA 20 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 250, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: –3 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren

Onsemi MMBT5087LT1G SMD, PNP Transistor –50 V / -50 MA 20 MHz, SOT-23 3-Pin

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Specifications of Onsemi MMBT5087LT1G SMD, PNP Transistor –50 V / -50 MA 20 MHz, SOT-23 3-Pin

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Vishay CRCW,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 1.3MΩ ±1% / 0.125W ±100ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRCW08051M30FKEA
    • Siemens SINAMICS G120C 3-Phasen Frequenzumrichter 132 kW / 221 A für Ac Motor, MPN: 6SL3210-1KE32-4AF1

    Siemens SINAMICS G120C 3-Phasen Frequenzumrichter 132 kW / 221 A für Ac Motor, MPN: 6SL3210-1KE32-4AF1

    Siemens SINAMICS G120C 3-Phasen Frequenzumrichter 132 kW / 221 A für Ac Motor.

    • Unilite Baustrahler 7,4 V / 30 W 3300 lm, Schutzart: IK07, IP65, Anzahl der LEDs: 1, Solar Panel: Nein, MPN: RF-3300
    • Lapp UNITRONIC Datenkabel, 4-paarig 0,14 mm² Ø 6.4mm S/UTP Schirmung Twisted Pair Grau, Aderzahl: 8, AWG: 26 AWG, Länge: 50m, Certification RPC: Eca, Kabeltyp: LiHCH, Verhalten im Brandfall: Schwer entflammbar, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, Standards: IEC60332-1, MPN: 0038304
    • RS PRO Tischschraubstock, Spannnweite 150mm x Breite 150mm, 12.28 KGS, Backenbreite: 56mm, Montage: Bolzen

    RS PRO Tischschraubstock, Spannnweite 150mm x Breite 150mm, 12.28 KGS, Backenbreite: 56mm, Montage: Bolzen

    RS PRO Tischschraubstock, Spannnweite 150mm x Breite 150mm, 12.28 KGS.

    • DiodesZetex LED-Treiber IC 0,3 →30 V, 1–10 V, PWM Dimmung, SOIC 8-Pin, Eingangsspannung AC oder DC: ac, MPN: AL1665S-13
    • onsemi MMBT5087LT1G SMD, PNP Transistor –50 V / -50 mA 20 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 250, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: –3 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Infineon 7th Generation of TRENCHSTOPTM IGBT Development Board, 650 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 T7 evaluation board, Zum Einsatz mit: Energiespeicherung, EV-Ladegerät, GPD, industrielle Antriebe, industrielle Leistung, Netzteile, Solarenergiesysteme, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsplatine, MPN: EVALM5IGBT7TOBO1
    • onsemi MMBT5087LT1G SMD, PNP Transistor –50 V / -50 mA 20 MHz, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Gleichstromverstärkung min.: 250, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: –3 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • Infineon 7th Generation of TRENCHSTOPTM IGBT Development Board, 650 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 T7 evaluation board, Zum Einsatz mit: Energiespeicherung, EV-Ladegerät, GPD, industrielle Antriebe, industrielle Leistung, Netzteile, Solarenergiesysteme, Kit-Klassifizierung: Evaluierungsplatine, MPN: EVALM5IGBT7TOBO1