Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The : 2.: 0,00271 Ω, 0,00397 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00271 Ω, 0,00397 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, MPN: SIR150DP-T1-RE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay TrenchFET® Gen IV N-Kanal, SMD MOSFET 45 V / 110 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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