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DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 MA 850 MW, 3-Pin E-Line

About The : 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 mA 850 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 mA 850 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN4310A

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 MA 850 MW, 3-Pin E-Line

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 MA 850 MW, 3-Pin E-Line

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DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 MA 850 MW, 3-Pin E-Line
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Panasonic ERA,, AEC-Q200 Dünnschicht SMD-Widerstand 196Ω ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3AEB1960V
    • Schneider Electric TeSys Modul für 3P LC1D40A...D80A4P LC1DT60A...DT80A, Better World-Produkt: Ja, Better World-Verifizierung: Green Premium, MPN: LAD4T3U
    • TE Connectivity Buchse Koaxialsteckverbinder SMA-Steckverbinder, Flanschmontage Crimp-Anschluss, 50Ω, Gerade, Trennwand: Nein, Betriebsfrequenz: 0 to 6GHz, Gehäusebeschichtung: Gold, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, MPN: 1-1478968-0
    • Amphenol Limited 62GB Buchse Steckverbinder-Schutzkappe Größe 12, MPN: 62GB-813-12

    Amphenol Limited 62GB Buchse Steckverbinder-Schutzkappe Größe 12, MPN: 62GB-813-12

    Amphenol Limited 62GB Buchse Steckverbinder-Schutzkappe Größe 12.

    • Amphenol Limited 62GB Buchse Steckverbinder-Schutzkappe Größe 10, MPN: 62GB-813-10

    Amphenol Limited 62GB Buchse Steckverbinder-Schutzkappe Größe 10, MPN: 62GB-813-10

    Amphenol Limited 62GB Buchse Steckverbinder-Schutzkappe Größe 10.

    • Rohde & Schwarz NGU-K104 Digitales Spannungsmessgerät für Netzteil Ngu201

    Rohde & Schwarz NGU-K104 Digitales Spannungsmessgerät für Netzteil Ngu201

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    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 mA 850 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN4310A
    • TE Connectivity 3520 Dickschicht SMD-Widerstand 56Ω ±5% / 1W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 352056RJT
    • DiodesZetex N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 900 mA 850 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.: 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: ZVN4310A
    • TE Connectivity 3520 Dickschicht SMD-Widerstand 56Ω ±5% / 1W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: 352056RJT