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STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A, 3-Pin DPAK

About The STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A, 3-Pin DPAK, MPN: STD25NF10T4

STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A, 3-Pin DPAK, MPN: STD25NF10T4

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

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Specifications of STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A, 3-Pin DPAK

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STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A, 3-Pin DPAK
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RF Solutions WLAN- und Bluetooth-Module IEEE 802.11 b/g/n WEP, WPA, WPA2 GPIO, PCM, UART 2.7 → 3.6V 14.5 x 24.5, Abmessungen: 14.5 x 24.5 x 11mm, MPN: Ai-WB2-01S
    • RS PRO Ankerbolzen 12 x 100mm, Ø 14mm x 100mm Stärke 25 (Deep Embedment), 50 (Shallow Embedment) max.

    RS PRO Ankerbolzen 12 x 100mm, Ø 14mm x 100mm Stärke 25 (Deep Embedment), 50 (Shallow Embedment) max.

    .RS PRO Ankerbolzen 12 x 100mm, Ø 14mm x 100mm Stärke 25 (Deep Embedment), 50 (Shallow Embedment) max.

    • RS PRO Ankerbolzen 10 x 100mm, Ø 12mm x 100mm Stärke 40 (Deep Embedment), 60 (Shallow Embedment) max.

    RS PRO Ankerbolzen 10 x 100mm, Ø 12mm x 100mm Stärke 40 (Deep Embedment), 60 (Shallow Embedment) max.

    RS PRO Ankerbolzen 10 x 100mm, Ø 12mm x 100mm Stärke 40 (Deep Embedment), 60 (Shallow Embedment) max..

    • INA Wellenscheibe für Rollenlager, Innen-Ø 15mm / Außen-Ø 28mm, Breite 2.75mm, MPN: WS81102

    INA Wellenscheibe für Rollenlager, Innen-Ø 15mm / Außen-Ø 28mm, Breite 2.75mm, MPN: WS81102

    75mm.INA Wellenscheibe für Rollenlager, Innen-Ø 15mm / Außen-Ø 28mm, Breite 2.

    • INA Wellenscheibe für Rollenlager, Innen-Ø 17mm / Außen-Ø 30mm, Breite 2.75mm, MPN: WS81103

    INA Wellenscheibe für Rollenlager, Innen-Ø 17mm / Außen-Ø 30mm, Breite 2.75mm, MPN: WS81103

    INA Wellenscheibe für Rollenlager, Innen-Ø 17mm / Außen-Ø 30mm, Breite 2.

    • STMicroelectronics NPN Darlington-Transistor 100 V 2 A HFE:500, TO-220 3-Pin Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Montage-Typ: THT, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2,5 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 1mA, Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 9.15mm, MPN: TIP112
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    STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A, 3-Pin DPAK.

    • onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 15 A 22 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FDPF390N15A
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    STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A, 3-Pin DPAK.

    • onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 15 A 22 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: FDPF390N15A