Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 131 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm, MPN: PSMN2R6-40YS
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Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 131 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
Specifications of Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 131 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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