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Onsemi P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 2,1 W, 8-Pin ChipFET

About The : 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.1mm, Betriebstemperatur max

onsemi P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 2,1 W, 8-Pin ChipFET, Drain-Source-Widerstand max.: 170 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NTHD4102PT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 2,1 W, 8-Pin ChipFET

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Specifications of Onsemi P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 2,1 W, 8-Pin ChipFET

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Onsemi P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A 2,1 W, 8-Pin ChipFET
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