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Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

About The 3V, Gate-Schwellenspannung min.5mm, MPN: BSP324H6327XTSA1

Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 25 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP324H6327XTSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 170 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
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