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Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

About The : 1.: 45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP125H6327XTSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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    • RF Solutions HF-Modul 433MHz FM moduliert, 1.8 → 3.6V, Empfindlichkeit des Empfängers: -121dBm, Abmessungen: 16.5 x 19.25 x 1mm, Länge: 16.5mm, Betriebstemperatur max.: +85 °C, Betriebstemperatur min.: –20 °C, Breite: 19.25mm, MPN: ZPT-4TS
    • onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 250 mA, 880 mA 270 mW, 6-Pin SOT-363, Channel-Typ: N, P, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, -12 V, +12 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.2mm, MPN: NTJD4158CT1G
    • onsemi Zenerdiode Einfach 1 Element/Chip SMD 3V / 300 mW max, SOD-323 2-Pin, Zenertyp: Spannungsregler, Toleranz Zener-Spannung: 5%, Prüfstrom: 5mA, Zener Lastwiderstand max.: 100Ω, Rest-Sperrstrom max.: 10µA, Abmessungen: 1.8 x 1.35 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: -65 °C, MPN: MM3Z3V0T1G
    • onsemi N-Kanal JFET MMBF4393LT1G, 30 V Single, SOT-23 3-Pin Einfach, IDS Drain-Source-Abschaltstrom: 5 to 30mA, Gate-Source Spannung max.: +30 V, Drain-Gate-Spannung max.: 30V, Drain-Source-Widerstand max.: 100 Ω, Montage-Typ: SMD, Drain Gate Kapazität: 14pF, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm
    • Mersen Feinsicherung aM / 6A 14 x 51mm 500V ac Keramik, Betriebsspannung: 500V ac, MPN: FR14AM50V6P
    • Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP125H6327XTSA1
    • Mersen Feinsicherung gG / 4A 10 x 38mm 500V ac Keramik, Betriebsspannung: 500V ac, MPN: FR10GG50V4I
    • Infineon SIPMOS® N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, MPN: BSP125H6327XTSA1
    • Mersen Feinsicherung gG / 4A 10 x 38mm 500V ac Keramik, Betriebsspannung: 500V ac, MPN: FR10GG50V4I