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Onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 250 MA, 880 MA 270 MW, 6-Pin SOT-363

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: 2,5 Ω, 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 250 mA, 880 mA 270 mW, 6-Pin SOT-363, Channel-Typ: N, P, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, 500 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, -12 V, +12 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.2mm, MPN: NTJD4158CT1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 250 MA, 880 MA 270 MW, 6-Pin SOT-363

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Specifications of Onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 250 MA, 880 MA 270 MW, 6-Pin SOT-363

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