Onsemi SMMBT5551LT1G SMD, NPN Transistor 160 V / 600 MA, SOT-23 3-Pin
About The 04 x 1.: 6 V, Abmessungen: 3
onsemi SMMBT5551LT1G SMD, NPN Transistor 160 V / 600 mA, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,25 V dc
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi SMMBT5551LT1G SMD, NPN Transistor 160 V / 600 MA, SOT-23 3-Pin
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Specifications of Onsemi SMMBT5551LT1G SMD, NPN Transistor 160 V / 600 MA, SOT-23 3-Pin | |
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