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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

About The Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG), MPN: IPTG011N08NM5ATMA1

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG), MPN: IPTG011N08NM5ATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

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Specifications of Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)

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Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 408 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)
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Legrand Schnittstellenmodul Schraubanschluss, Buchse, 14-polig, Drahtgröße: 35 →70 mm2, MPN: 400411
    • SMC Pneumatischer Drehantrieb, Drehwinkel 90°, Bohrung Ø 10mm, 5 bar, Ausführung: Einfach, Serie: CRQ2, Eingangsdruck (max.): 10bar, MPN: CDRQ2BS20-90C
    • Rittal Halterungsmontageadapter, für Serie TE DK, Material: Stahlblech, MPN: 7000688
    • onsemi BD13916STU THT, NPN Transistor 80 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin, Verlustleistung max.: 12,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 8 x 3.25 x 11mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
    • onsemi BD13916STU THT, NPN Transistor 80 V / 1,5 A, TO-126 3-Pin, Verlustleistung max.: 12,5 W, Gleichstromverstärkung min.: 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 8 x 3.25 x 11mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C