Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin TO-252
About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD65R1K0CEAUMA1.Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 1 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD65R1K0CEAUMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin TO-252
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Specifications of Infineon CoolMOS™ CE N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7,2 A, 3-Pin TO-252 | |
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