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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, MPN: IPD30N08S2L21ATMA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 30 A 136 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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