Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,36 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPA70R360P7SXKSA1
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Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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