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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRFR540Z.Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0285 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRFR540Z

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
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RS PRO Platin-Widerstand Temperaturfühler Typ J / +750°C, Fühler L 250mm, Edelstahl, ø 6mm, Anschlussart: Anschlusskopf, Erfüllte Normen: RoHS-kompatibel, Reaktionszeit:
    • RS PRO PT100 G1/4 Widerstandsthermometer Edelstahl Ø 6mm x 200mm, -50°C → +250°C, Anschlussart: Anschlusskopf, Anzahl der Kabel: 3, Genauigkeit: Klasse A, Distrelec Product Id: 30426174
    • Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 6,8 μH 2.5A AEC-Q200, 5040 Gehäuse 5mm, MPN: 78404054068

    Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 6,8 μH 2.5A AEC-Q200, 5040 Gehäuse 5mm, MPN: 78404054068

    5A AEC-Q200, 5040 Gehäuse 5mm.Wurth Elektronik Induktivität PowerCore, 6,8 μH 2.

    • KEMET Gassensor, Medium: Stickstoffdioxid 12ms, Sensor-Typ: Gassensoren, MPN: USEQGCDAN82100
    • Bourns SRR1210 Drosselspule, 33 μH 4.4A mit Ferrit DR und RI-Kern, 1210 Gehäuse 12mm / ±20%, 6.5MHz, Höhe: 10mm, Abmessungen: 12 x 12 x 10mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 52mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: SRR1210-330M
    • Bourns SRR1210 Drosselspule, 18 μH 5.5A mit Ferrit DR und RI-Kern, 1210 Gehäuse 12mm / ±20%, 8MHz, Höhe: 10mm, Abmessungen: 12 x 12 x 10mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 35mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: SRR1210-180M
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0285 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRFR540Z
    • Bourns SRR1210 Drosselspule, 10 μH 6.5A mit Ferrit DR und RI-Kern, 1210 Gehäuse 12mm / ±20%, 12MHz, Höhe: 10mm, Abmessungen: 12 x 12 x 10mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 18mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: SRR1210-100M
    • Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0285 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRFR540Z
    • Bourns SRR1210 Drosselspule, 10 μH 6.5A mit Ferrit DR und RI-Kern, 1210 Gehäuse 12mm / ±20%, 12MHz, Höhe: 10mm, Abmessungen: 12 x 12 x 10mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 18mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: SRR1210-100M