Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.41mm, MPN: IPD042P03L3GATMA1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon OptiMOS P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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