Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 33,7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 20,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V, MPN: SiS128LDN-T1-GE3
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Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 33,7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 33,7 A 39 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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