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Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 MA 410 MW, 6-Pin SOT-363

About The Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 mA 410 mW, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 mA 410 mW, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.5V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 1mm, MPN: PMGD290XN,115

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 MA 410 MW, 6-Pin SOT-363

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Specifications of Nexperia N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 860 MA 410 MW, 6-Pin SOT-363

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