Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm, MPN: IRF7855TRPBF
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 2,5 W, 8-Pin SOIC | |
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