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Onsemi NTMFS N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 365 A, 8-Pin DFN

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onsemi NTMFS N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 365 A, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00068 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: NTMFS0D8N02P1ET1G

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi NTMFS N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 365 A, 8-Pin DFN

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Specifications of Onsemi NTMFS N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 365 A, 8-Pin DFN

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Onsemi NTMFS N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 365 A, 8-Pin DFN
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Molex Sabre Crimp-Anschlussklemme für Sabre-Steckverbindergehäuse, Buchse, 0.8mm² / 2mm², Zinn Crimpanschluss, Minimale Drahtgröße (AWG): 16AWG, Kontaktmaterial: Messing, Maximale Drahtgröße (AWG): 14AWG, Seriennummer: 43375, Kontaktwiderstand (max.): 10mΩ, Maximale Stromstärke: 18A, Betriebstemperatur min.: -40°C, Betriebstemperatur (max.): +75°C, MPN: 43375-0001
    • SICK AHM36 Absolutwertgeber Absolut, 6000U/min, 4,5 → 32 V Vollwelle mit Ø 10mm Schaft, Auflösung: 12 x 12 Bit, Schritte pro Umdrehung: 4096Schritte, IP Schutzart: IP65, Schnittstelle: CANOpen, Gesamthöhe: 40.5mm, Gesamtbreite: 36mm, Betriebstemperatur min.: +20°C, Betriebstemperatur max.: +70°C, MPN: 1071515
    • JCB Baustrahler Stirnlampe Akku 260 Lumen, USB-Stecker, Steckertyp: USB-C, Wiederaufladbar: Ja, Schutzart: IP44, MPN: JCB-HT-XTRA
    • Wieland Buchse GST18 Leuchtensteckverbinder, Stecker, Kontakte: 3, Kabelmontage, 16A, Weiß, 0.5 → 2.5 mm², Betriebsspannung: 250 V, Schutzart: IP20, Zugentlastung: Nein, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Anschlussart: Schrauben, MPN: 92.031.3258.0
    • Nexperia BCX71J,215 SMD, PNP Transistor –45 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin, Gleichstromverstärkung min.: 250

    Nexperia BCX71J,215 SMD, PNP Transistor –45 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin, Gleichstromverstärkung min.: 250

    Nexperia BCX71J,215 SMD, PNP Transistor –45 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin.

    • STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 45 A, 3-Pin HiP247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCTWA30N120
    • onsemi NTMFS N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 365 A, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00068 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: NTMFS0D8N02P1ET1G
    • KOA BWR Keramik Widerstand, Axial 100Ω ±1% / 5W, Zusammensetzung:: Drahtwiderstand, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/K, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: BWR5C1000F
    • onsemi NTMFS N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 25 V / 365 A, 8-Pin DFN, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00068 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, MPN: NTMFS0D8N02P1ET1G
    • KOA BWR Keramik Widerstand, Axial 100Ω ±1% / 5W, Zusammensetzung:: Drahtwiderstand, Betriebstemperatur max.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/K, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: BWR5C1000F