STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 33 A, 3-Pin Hip247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,105 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: SiC, MPN: SCTW40N120G2VAG
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 33 A, 3-Pin Hip247
Specifications of STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 33 A, 3-Pin Hip247 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |