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Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 2,4 W, 900 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2

About The : 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 2,4 W, 900 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max

onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 2,4 W, 900 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2.05mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FDMA908PZ

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 2,4 W, 900 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2

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Specifications of Onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 12 A 2,4 W, 900 MW, 6-Pin MicroFET 2 X 2

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