onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 700 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.9mm, Länge: 2.2mm, MPN: NTS4409NT1G
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Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 700 MA 330 MW, 3-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 700 MA 330 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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