Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.3mm, Betriebstemperatur max
Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 5,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.15V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.3mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: PSMN4R3-30BL,118
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 103 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
