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Onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN

About The : 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C, MPN: FCA47N60

onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FCA47N60

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN

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Specifications of Onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN

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Onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN
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Alsico Wiederverwendbar Overall Art, Größe XXXL Marineblau, Praktisch, Weich, MPN: ALMC30BOIN SIZE XXXL

Alsico Wiederverwendbar Overall Art, Größe XXXL Marineblau, Praktisch, Weich, MPN: ALMC30BOIN SIZE XXXL

Alsico Wiederverwendbar Overall Art, Größe XXXL Marineblau, Praktisch, Weich.

    • Vishay Snap-In Aluminium-Elektrolyt Kondensator 120μF / 450V dc, Ø 25mm x 30mm, bis 105°C, Kapazität: 120µF, Spannung: 450V dc, Abmessungen: 25 x 30mm, Betriebstemperatur max.: +105°C, Anschlussraster: 10mm, MPN: MAL219367121E3
    • RS PRO Rundsteckverbinder Stecker, Buchse 5-polig / 5.0A Kabelmontage, Lötanschluss IP 67, Steckergröße: Standard, Kontakt Gender: Female, Male, Anschlussart: Löten, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 180,0 V, Verbindungstyp: Bajonettkupplung, Gehäusematerial: Nylon 66, PC, Kontakt-Format: 5P, Kontaktbeschichtung: Messing vergoldet, Geschirmt / Ungeschirmt: Ungeschirmt
    • Schurter Feinsicherung 5x20mm, MPN: 0034.3113

    Schurter Feinsicherung 5x20mm, MPN: 0034.3113

    Schurter Feinsicherung 5x20mm.

    • TE Connectivity EMI Jam Nut Seal Vernickeltes Graphit, Innen-Ø 14mm, Stärke 1.8mm, Betriebstemperatur (min.): -55°C, Betriebstemperatur (max.): 160°C, MPN: 2430188-1
    • Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 mA 830 mW, 3-Pin SOT-323, Drain-Source-Widerstand max.: 6,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: NX3008PBKW
    • onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FCA47N60
    • Nexperia CMOS-Inverter, Strom, Spannung 105ns, TSSOP, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -2.6mA, Montage-Typ: SMD, Logikfamilie: HC, Abmessungen: 2.25 x 1.35 x 1mm, Arbeitsspannnung max.: 6 V, Länge: 2.25mm, MPN: 74HC1GU04GW,125
    • onsemi SuperFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 47 A 417 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 70 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FCA47N60
    • Nexperia CMOS-Inverter, Strom, Spannung 105ns, TSSOP, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -2.6mA, Montage-Typ: SMD, Logikfamilie: HC, Abmessungen: 2.25 x 1.35 x 1mm, Arbeitsspannnung max.: 6 V, Länge: 2.25mm, MPN: 74HC1GU04GW,125