Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,5 A 38 W, 3-Pin TO-220F
About The : 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,5 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max
onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,5 A 38 W, 3-Pin TO-220F, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: FQPF10N20C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,5 A 38 W, 3-Pin TO-220F
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Specifications of Onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,5 A 38 W, 3-Pin TO-220F | |
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