Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 35 A, 8-Pin Herr TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 0,035 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: BSC350N20NSFDATMA1
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Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 35 A, 8-Pin Herr TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 35 A, 8-Pin Herr TDSON | |
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