Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 119 A, 8-Pin Herr TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0026 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: BSC026N04LSATMA1
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Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 119 A, 8-Pin Herr TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 119 A, 8-Pin Herr TDSON | |
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